旨在提供电气工程师提供一个完整的工作功率级，评估板包含两个650 V，30 A GS66508T氮化镓场效应晶体管，半桥栅极驱动器，栅极驱动电源和散热器。该GS66508T高功率晶体管是基于氮化镓的系统专有岛技术®和属于它的650 V系列的其中实现与> 100 V / NS和超低热损耗快速开关速度极其高效的电源转换高密度的设备。
使用氮化镓系统“岛科技模具设计结合GaNPX™封装极低的电感和热效率，氮化镓场效应晶体管表现出的交换和比传统的硅MOSFET和IGBT导通性能有45倍的改善。 30 A / 50毫欧GS66508T GaN功率晶体管是顶侧冷却，并设有近芯片级，热效率GaNPX包装。在1.5千瓦，该器件的功率转换效率的额定功率为98.7％，可以在所有者的实验室中再现的值。
该评估板提供脚印为输出功率电感器和电容器，因此用户可以配置董事会成所需的升压或降压操作模式。访问晶体管的结温是由两个热电偶垫和热成像相机端口提供。输入功率应为9 VDC至12 VDC，具有绝对的最多15个五，板载电压调节器创建+5 V的逻辑电路和+6.5 V，用于栅极驱动器。该评估板工作在三种模式：脉冲测试模式，降压/标准半桥模式和升压模式。
新GS66508T高电流半桥评估板现已通过氮化镓Systems的全球分销网络。定价以当地货币计算，该开发工具包零售价为$ 299 USD。
